Тест с ответами: “Основы схемотехники” (Увеличение глубины отрицательной обратной связи …)
Рубрика: Физика
(правильные ответы отмечены плюсом)
1. Увеличение глубины отрицательной обратной связи в операционном усилителе приводит к … полосы(-е) усиливаемых частот:
а) увеличению +
б) сохранению
в) уменьшению
2. Определение параметров каскада по постоянному току проводится с применением таких характеристик:
а) статических выходных
б) выходных динамических по постоянному току +
в) статических входных
3. Усилитель электрических колебаний создает на выходе мощность большую, чем на входе, за счет применения:
а) резисторов
б) конденсаторов
в) источника питания +
4. Регистр сдвига, выполненный на основе триггеров, служит для запоминания (хранения) цифровой информации, записываемой … кодом:
а) последовательным +
б) параллельно-последовательным
в) параллельным
5. Схема с резисторно-емкостной транзисторной логикой (РЕТЛ) реализуется включением конденсаторов:
а) как элементов связи между логическими элементами
б) как элементов связи с нагрузкой
в) параллельно выравнивающим резисторам на входах +
6. Генератор линейно изменяющегося напряжения с компенсирующей обратной связью реализуется введением … в двухкаскадном резисторном усилителе:
а) общей положительной ОС
б) общей отрицательной обратной связи (ОС) +
в) местной отрицательной ОС
7. Логарифмический усилитель реализуется включением диода (транзистора) в цепь … операционного усилителя:
а) нагрузки
б) неинвертирующего входа
в) обратной связи +
8. Взаимное влияние источников сигналов на входе сумматора практически отсутствует из-за того, что инвертирующий вход операционного усилителя ОУ имеет такой потенциал:
а) нулевой +
б) постоянный отрицательный
в) постоянный положительный
9. Транзисторная логика с резистивной связью (ТЛРС) характеризуется:
а) отсутствием гальванической связи между источниками
б) увеличением быстродействия схемы
в) выравниванием токов в цепях транзисторных ключей +
10. Применение в усилителе последовательной отрицательной обратной связи (ООС) по напряжению приводит к … входного сопротивления каскада:
а) уменьшению
б) увеличению +
в) сохранению неизменной величины
11. Режиму АВ соответствует положение рабочей точки на … сквозной динамической характеристики усилительного элемента:
а) нижнем изгибе +
б) линейном участке
в) верхнем изгибе
12. В схеме простой ВЧ коррекции увеличение fвч или подъем амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) в области верхних частот (ВЧ) обеспечиваются включением … цепь биполярного транзистора:
а) индуктивности в базовую
б) индуктивности в коллекторную +
в) индуктивности в эмиттерную
13. Усилительный каскад на полевом транзисторе, включенном по схеме с общим стоком, изменят фазу входного напряжения на:
а) 0° +
б) 90°
в) -90°
14. Автогенератор c LC колебательной системой в нагрузке формирует такие колебания:
а) импульсные
б) пилообразные
в) гармонические +
15. В LC-генераторах частота автоколебаний определяется выбором элементов:
а) колебательного контура +
б) цепи фильтра источника питания
в) цепи обратной связи ОС
16. Комплексное уравнение автогенератора, находящегося в стационарном режиме, имеет вид:
а) K β = 0
б) K β = 1 +
в) K β < 1
17. Организация частотно-зависимой ООС по переменному току в схеме эмиттерной высокочастотной (ВЧ) коррекции приводит к:
а) уменьшению коэффициента усиления в области верхних частот
б) увеличению коэффициента усиления в области рабочих частот
в) расширению полосы усиливаемых частот +
18. Ждущий режим мультивибратора на логических элементах характеризуется:
а) отсутствием элементов, накапливающих энергию
б) наличием цепи запуска +
в) введением отрицательной обратной связи
19. Построение цифро-аналогового преобразователя на основе суммирования напряжений предполагает применение структуры:
а) R-4R матрицы
б) фильтра нижних частот
в) на основе 2nR резисторов +
20. Усилитель, охваченный обратной связью (ОС), устойчив, если его годограф при разомкнутой цепи ОС … на комплексной плоскости точку с координатами (1;j0):
а) проходит
б) не охватывает +
в) охватывает
21. Включением моста Вина в цепь отрицательной обратной связи операционного усилителя реализуется фильтр:
а) полосовой +
б) режекторный
в) верхних частот
22. Коррекция амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) в области нижних частот (НЧ) проводится за счет введения … току:
а) местной ООС по постоянному
б) общей частотно-зависимой отрицательной обратной связи (ООС) по переменному +
в) общей ООС по постоянному
23. Оконечный каскад целесообразно реализовывать с трансформаторной связью с нагрузкой, что позволяет:
а) снизить линейные искажения
б) снизить нелинейные искажения
в) повысить КПД каскада +
24. Достижение входного сопротивления Zвх →∞ и выходного Zвых ≈ 0, близкими к параметрам идеального операционного усилителя, обеспечивается применением:
а) параллельной ООС по напряжению
б) последовательной ООС по напряжению +
в) параллельной ООС по току
25. Усилительный каскад на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, изменяет фазу входного напряжения на:
а) 90°
б) -90°
в) 180° +
26. На свойства усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и резистивно-емкостной межкаскадной связью, в области нижних частот на реактивные компоненты схемы оказывают(ет) влияние:
а) только разделительные конденсаторы
б) цепи межкаскадной связи и цепи температурной стабилизации +
в) реактивные параметры транзистора
27. Физическая П-образная модель биполярного транзистора (схема Джиаколетто) позволяет исследовать свойства усилительного каскада … частот(е):
а) на любой +
б) только в области верхних
в) только на рабочей
28. Источник усиливаемого сигнала можно представлять источником ЭДС или источником тока в зависимости от величины его внутреннего сопротивления:
а) периодически можно
б) нет
в) да +
29. Составные транзисторы позволяют улучшать технические показатели усилителей вследствие уменьшения паразитных обратных связей внутри УЭ:
а) да +
б) нет
в) периодически да
30. Транзисторная логика с непосредственной связью (ТЛНС) характеризуется:
а) четким переходом транзисторного ключа из состояния насыщения в режим отсечки
б) сильной зависимостью процессов от характеристик транзистора +
в) отсутствием гальванической связи между транзисторными ключами
